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深能級瞬態光譜檢測（DLTS）

簡介：

深能級瞬態光譜檢測（DLTS）是一種強大的技術，常用于研究半導體中缺陷的濃度和載流子結合能。該技術涉及在不同溫度下測量電容瞬變。首先，通過將半導體結反向偏置，大部分移動電荷載流子會被耗盡。隨后，通過正電壓脈沖將電壓短暫置零，空陷阱被填充。在脈沖結束之后，半導體結會再次處于反向偏置偏置狀態。此時電荷的移動就會引起瞬態電容的變化。

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應用說明測量策略產品優勢相關產品

應用說明

相關產品：MFIA，MF-IA，HF2TA，HF2LI

應用說明

DLTS是一種強大的技術，常用于研究半導體中缺陷的濃度和載流子結合能。該技術涉及在不同溫度下測量電容瞬變。首先，通過將半導體結反向偏置，大部分移動電荷載流子會被耗盡。隨后，通過正電壓脈沖將電壓短暫置零，空陷阱被填充。在脈沖結束之后，半導體結會再次處于反向偏置偏置狀態。此時電荷的移動就會引起瞬態電容的變化。

測量策略

您可以使用MFIA阻抗分析儀在長時間間隔內以高分辨率測量完整的電容瞬變過程。如圖2所示，使用LabOne^?的繪圖儀模塊，您可以輕松完成DLTS測量的設置。

MFIA可以在10 μs（1 MHz下）的時間尺度上測量從1 mHz到5 MHz（不僅在1 MHz）范圍內的電容瞬變。如圖3所示，LabOne^?的數據采集（DAQ）模塊可以通過外部脈沖發生器或通過內部產生的偏置脈沖來觸發。借助DAQ模塊和數據緩沖區，您可以在高時間分辨率和長時間窗口（包括觸發事件之前的穩定狀態）下可靠地捕獲整個瞬態。

MFIA包含的雙通道鎖定放大器可用于同時捕獲電流瞬變和電容瞬變。與電容測量相比。與傳統的電容測量相比，DLTS可以在更短的時間內測量電容的變化，但是無法精確測量電容的絕對值。

圖1：包含MFIA阻抗分析儀的DLTS測量設備。

圖2： LabOne繪圖儀模塊同時顯示了三個瞬態參數的測量：施加的電壓（藍色曲線），產生的電容變化（紅色曲線）以及其對應的電流變化（綠色曲線）。

圖3： LabOne數據采集模塊顯示了瞬態電容測量在平均20次下的變化。圖中的標記顯示了10 μs內就能測到6 fF的電容差。

產品優勢

500kHz / 5MHz 阻抗分析儀

━ 頻率范圍：1mHz-5MHz

━ 1 mΩ 至 1 TΩ，0.05% 基本精度

━ 具有完整的 MFLI 鎖相放大器功能

━ 在10 μs 的時間尺度上測量電容瞬變

━ API 支持 Python，MATLAB，LabVIEW，C，.NET

選擇MFIA阻抗分析儀的優勢

━ 由于集成了數字化儀，更寬的電容測量范圍和靈活的工作頻率，MFIA得以完全超越已停產的Boonton 7200。此外，LabOne附帶了許多工具，可幫助您監視和優化實驗。

━ LabOne強大的API可以幫您輕松集成MFIA到復雜的實驗設置和溫度控制中。

━ 8級電流輸入可確保在施加反向偏置脈沖時儀器不會過載。

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應用說明

測量策略

500kHz / 5MHz 阻抗分析儀

選擇MFIA阻抗分析儀的優勢