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雙通道超低噪聲電壓放大器4MHz
簡(jiǎn)介:

產(chǎn)地:德國(guó),品牌:Stahl-Electronics

PR-E3 - SMA 是一款高靈敏度的室溫電壓前置放大器,頻率范圍為 0.5 kHz 至 4 MHz(或 40 MHz),適用于低噪聲、高阻抗的應(yīng)用場(chǎng)景,如傅里葉回旋共振離子阱、肖特基探測(cè)器或電荷探測(cè)器。其設(shè)計(jì)既可用于雙通道,也可用于單通道配置,在較小的輸入電容條件下,能夠?qū)崿F(xiàn)較低的電壓噪聲和電流噪聲。

產(chǎn)品特點(diǎn) 功能描述 性能特性 應(yīng)用領(lǐng)域 規(guī)格參數(shù) 相關(guān)下載 相關(guān)產(chǎn)品
產(chǎn)品特點(diǎn)

━ 頻率范圍:0.5 kHz - 4 MHz

━ 電壓噪聲:0.6 nV/√Hz @ 1 MHz(單通道模式下

━ 電流噪聲:12 fA/√Hz @ 10 kHz雙通道模式下

━ 放大倍數(shù):250 V/V(可定制)

━ 單通道 或 雙通道器件

━ 雙通道器件,帶 SMA 端子

完整版技術(shù)參數(shù)詳見產(chǎn)品手冊(cè)

功能描述

下圖展示了設(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。該前置放大器由一或兩個(gè)獨(dú)立信號(hào)通路組成,采用共電源電壓供電。輸入級(jí)由預(yù)選的低噪聲場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)構(gòu)成,后級(jí)接有放大電路和緩沖電路。獨(dú)立的反饋回路可確保偏置點(diǎn)良好平衡,即使在低溫冷卻操作條件下也能保持穩(wěn)定。

雙通道版本內(nèi)部采用對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),支持以下輸入方式:

━ 單輸入端獨(dú)立信號(hào)輸入

━ 雙輸入端同步信號(hào)輸入(例如反相信號(hào))


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性能特性

1電壓放大倍數(shù)-頻率特性曲線

測(cè)試條件:供電電壓:+12V/-3V,環(huán)境溫度:297 K,負(fù)載配置:高阻抗1MΩ, 50pF50Ω負(fù)載


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(2)電壓放大倍數(shù)-正電源電壓特性

測(cè)試條件:f = 100kHz,while VSS = -3V固定值


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(3)正電源電流-正電源電壓特性曲線

測(cè)試條件:輸出空載,VSS=-2.5V(固定值)


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(4)雙通道模式下的通道間串?dāng)_-頻率特性曲線

測(cè)試條件:上曲線:輸入端接 100pF vs. GND;下曲線:輸入端接 50Ω vs. GND


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(5)室溫條件下電壓噪聲密度(雙通道模式)

測(cè)試條件:VSS = -2.5V。若使用標(biāo)配電源(PR-E電源)或PRE-SMA版本,適用下部曲線


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(6)室溫條件下電流噪聲密度(雙通道模式)

室溫條件下電流噪聲密度(雙通道系統(tǒng)中的單通道),測(cè)試條件:供電電壓±5V


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(7)室溫條件下電壓噪聲密度(單通道模式)

室溫條件,不同正電源電壓下的電壓噪聲密度(雙通道版本,雙通道并聯(lián)工作)

測(cè)試條件:VSS = -2.5V。若使用標(biāo)配電源(PR-E電源)或PRE-SMA版本,適用下部曲線。


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(8)室溫條件下電流噪聲密度(單通道模式)

室溫條件下電流噪聲密度(雙通道并聯(lián)工作)

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應(yīng)用領(lǐng)域

1)精密實(shí)驗(yàn)

━ Penning trap驅(qū)動(dòng)電壓 - 用于BASE重子反重子對(duì)稱性實(shí)驗(yàn)

━ 混合阱驅(qū)動(dòng) - 用于冷分子離子-中性粒子碰撞研究

━ 掃描探針顯微鏡驅(qū)動(dòng) - 用于氫鍵分子單層圖案化制備


(2)離子阱驅(qū)動(dòng)與束流整形


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規(guī)格參數(shù)

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